親眼見證創新4200A-SCS 是一種可以量身定制、全面集成的參數分析儀，可以同步查看電流電壓 ( I - V )、電容電壓 ( C - V ) 和超快速脈沖式 I-V 特性。作為性能高的參數分析儀，4200A-SCS 加快了半導體、材料和工藝開發速度。

4200A-SCS Clarius^TM 基于 GUI 的軟件提供了清楚的、不折不扣的測量和分析功能。憑借嵌入式測量專業知識和數百項隨時可以投入使用的應用測試，Clarius Software 可以更深入地挖掘研究過程，快速而又滿懷信心。

4200A-SCS 參數分析儀可以根據不同用戶需求進行靈活配置，不管是現在還是未來，都可以隨時對系統進行升級。通過 4200A-SCS 參數分析儀，通往發現之路現在變得異常簡便。

一、 功能

l 參數查看，快速清晰

4200A-SCS 參數分析儀可將檢定和測試設置的復雜程度降低高達50%，提供清晰且不折不扣的測量和分析功能。另外，嵌入式測量專業知識（業界首創）可提供測試指南并讓您對結果充滿信心。特點如下：

· 內置測量視頻采用英語、中文、日語和韓語

· 使用數百個用戶可修改應用測試開始您的測試

· 自動實時參數提取、數據繪圖、算數函數

l 測量、 切換、 重復

4200A-CVIV 多通道切換模塊自動在 I-V 和 C-V 測量之間切換，無需重新布線或抬起探頭端部。與競爭產品不同，四通道 4200A-CVIV 顯示器提供本地可視查看，可快速完成測試設置，并在出現錯誤的結果時輕松排除故障。特點如下：

· 無需重新布線即可將 C-V 測量移動到多種設備終端

· 用戶可配置低電流功能

· 個性化輸出通道名稱

· 查看實時測試狀態

l 檢定、 自定義、 大化

簡單地說，4200A-SCS 可以完全自定義且全面升級，您可以對半導體設備、新材料、有源/無源組件、晶片級可靠性、故障分析、電化學或幾乎多種類型的樣本執行電氣檢定和評估。特點如下：

· NBTI/PBTI 測試

· 隨機電報噪聲

· 非易失內存設備

· 穩壓器應用測試

l 帶分析探測器和低溫控制器的集成解決方案

4200A-SCS 參數分析儀支持許多手動和半自動晶片探測器和低溫控制器，包括 Cascade MicroTech、Lucas Labs/Signatone、MicroManipulator、Wentworth Laboratories、LakeShore Model 336 低溫控制器。特點如下：

· “點擊”測試定序

· “手動”探測器模式測試探測器功能

· 假探測器模式無需移除命令即可實現調試

l 降低成本并保護您的投資

吉時利保障計劃以按需服務事件的一小部分成本提供快速、高質量的服務。 只需點擊一下或撥打一個電話即可獲得維修服務，在此過程中，無需報價或填寫采購單，也不會有審批延誤。

l 半導體可靠性

在執行復雜的可靠性測試時，4200A-SCS 可以幫您處理復雜的編碼工作。內含熱載波注入劣化 (HCI) 等項目，使您能夠快速開始設備分析。特點如下：

· 只需一組測試，即可滿足您的直流 I-V、C-V 和脈沖測量需求

· 支持多種探頭站和外部儀器

· 循環系統易于使用，允許在無需編碼的情況下重復測試

l 提供適合高阻抗應用的 C-V 測量功能

采用 Keithley 的自定義較為低頻 C-V 技術分析高電阻樣本的電容。該技術可通過僅使用源測量單元 (SMU) 儀器實現應用，同時可與 4210-CVU 結合使用，執行更多頻率測量。特點如下：

· .01 ~ 10 Hz 頻率范圍，1 pF ~ 10 nF 靈敏度

· 3? 位典型分辨率，小典型值 10 fF

l 非易失內存

通過全面脈沖 I-V 檢定在測試中利用新技術。4200A-SCS 為新 NVRAM 技術提供支持和即用型測試，從浮動門電路閃存到 ReRAM 和 FeRAM，不一而足。電流和電壓雙源和測量功能同時支持瞬態和 I-V 域檢定。

l VCSEL 測試

4200A-SCS 中的多個并行源測量單元 (SMU) 儀器可簡化激光二較為管測試。僅使用一臺機器連接即可生成 LIV（光強-電流-電壓）曲線。高級探頭站和開關支持使您能夠使用相同的儀器對單個二較為管或整個陣列進行晶圓生產測試。SMU 可配置為高達 21 W 容量，適用于多種連續波 (CW) VCSEL 應用。

l 納米級設備檢定

4200A-SCS 的集成儀器功能可簡化碳納米管等納米級電子器件開發方面的測量要求。從預配置測試項目開始著手，逐步擴大您的研究工作范圍。 SMU 的脈沖源模式可幫助緩解過熱問題，數秒內即可完成與低電壓 C-V 和超快速脈沖直流測量的組合。

l 材料電阻率

使用集成了 SMU 的 4200A-SCS，可通過四點同軸探頭或范德堡法輕松測量電阻率。內含測試可自動重復執行范德堡計算，節省您寶貴的研究時間。10aA 的大電流分辨率和大于 1016 歐姆的輸入阻抗可提供更準確和精準的結果。

l MOSFET 檢定

4200A-SCS 可容納所有必要的儀器，用于通過組件或晶圓測試執行全面的 MOS 設備檢定。內含測試和項目可以解決 MOSCap 的氧化物厚度、門限電壓、摻雜濃度、移動離子濃度等問題。只需觸摸一個儀器盒中的按鈕，即可運行所有這些測試。

一、 主要性能指標

l I-V 源測量單元 (SMU)

 ± 210 V/100 mA 或 ± 210 V/1 A 模塊

 100 fA 測量分辨率

 選配前端放大器提供了 10 aA 測量分辨率

 10 mHz - 10 Hz 超低頻率電容測量

 四象限操作

 2線或4線連接

l C-V 多頻率電容單元 (CVU)

 AC 阻抗測量 (C-V, C-f, C-t)

 1 kHz - 10 MHz 頻率范圍

 ±30V(60V差分)內置DC偏置源，可以擴展到±210V (420 V 差分 )

 選配 CVIV 多通道開關，在 I-V 測量和 C-V 測量之間簡便切換

l 脈沖式 I-V 超快速脈沖測量單元 (PMU)

 兩個立的或同步的高速脈沖 I-V 源和測量通道

 200 MSa/s，5 ns 采樣率

 ±40 V (80 V p-p)，±800 mA

 瞬態波形捕獲模式

 任意波形發生器，支持多電平脈沖波形，10 ns 可編程分辨率

l 高壓脈沖發生器單元 (PGU)

 兩個高速脈沖電壓源通道 ● ±40 V (80 V p-p)，± 800 mA

 任意波形發生器，支持多電平脈沖波形，10 ns 可編程分辨率

l I-V/C-V 多通道開關模塊 (CVIV)

 在 I-V 測量和 C-V 測量之間簡便切換，無需重新布線或 抬起探針

 把 C-V 測量移動到任意端子，無需重新布線或抬起探針

 支持 ±210 V DC 偏置源

l 遠程前端放大器 / 開關模塊 (RPM)

 在 I-V 測量、C-V 測量和超快速脈沖 I-V 測量之間自動切換

 把 4225-PMU 的電流靈敏度擴展到數十皮安