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首頁> > 產品中心 > 原子層沉積系統ALD產品

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原子層沉積系統ALD產品
品 牌 :SHNTI
型 號 :標準
產 地 :中國
關鍵詞 :ALD 原子 原子層 沉積


原子層沉積(atomic layer deposition, ALD)是通過氣相前驅體及反應物脈沖交替的通入反應腔并在基底上發生表面化學反應形成薄膜的一種方法,通過自限制性的前驅體交替飽和反應獲得厚度、組分、形貌及結構在納米尺度上高度可控的薄膜。該方法對基材不設限,尤其適用于具有高深寬比或復雜三維結構的基材。采用 ALD 制備的薄膜具有高致密性(無針孔)、高保形性及大面積均勻性等優異性能,這對薄膜的使
用具有重要的實際意義。

通過原理圖可以發現 ALD 并非一個連續的工藝過程,而是由若干半反應序列組成。步驟一中前驅體在基底表面發生化學吸附反應A ,步驟三中反應物與已經吸附了前驅體的基底繼續進行表面化學反應 B,步驟二、四用惰性氣體把多余氣體和副產物帶出反應腔。A、B 兩個半反應具有自限制和互補性特點,四個步驟依次循環決定了薄膜的厚度。


不同于傳統的化學氣相沉積,ALD 具有表面自限制的特點,因此在眾多薄膜制備技術中脫穎而出,展示出較為樹一幟的優勢!
? 通過調節反應循環次數精確控制薄膜厚度,形成原子級厚度的薄膜
? 薄膜沉積溫度友好,RT ~ 400℃
? 可廣泛適用于各種形狀的襯底,在高深寬比結構及其他復雜三維結構中可也生成保形性較為好的薄膜
? 前驅體或反應物是飽和的化學吸附,能保證生成大面積均勻性的薄膜
? 基于自限制特性,ALD 過程不需要控制前驅體或反應物流量的均一性
? 薄膜光滑、致密、無針孔
? 適合界面修飾和制備多組元納米疊層結構

? 具備規?;a能力




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