通過將產品固定在拋光頭的較下面，拋光時，旋轉的拋光頭以一定的壓力壓在旋轉的拋光墊上，拋光液在拋光墊的傳輸和離心力的作用下，均勻分布其上，在硅片和拋光墊之間形成一層拋光液液體薄膜。拋光液中的化學成分與產品表面材料產生化學反應，將不溶的物質轉化為易溶物質，或者將硬度高的物質進行軟化，然后通過磨粒的微機械摩擦作用將這些化學反應物從產品表面去除，溶入流動的液體中帶走，即在化學去膜和機械去膜的交替過程中實現平坦化的目的，通過先進的工藝可實現納米級別的粗糙度效果。
支持存儲多種拋光工藝，操作簡單便捷，支持2/4/6寸產品拋光，可提供常見晶圓加工工藝，24小時內售后及時響應。
二、技術參數：
基礎配置：
拋光頭模塊：氣膜加壓，六個分區較為立控制
摩擦力模塊：利用電機電流表征摩擦力
樣品加工能力：2/4/6英寸
拋光實現方式：觸屏程序控制
拋光頭下壓力：0~4 psi（4英寸）
拋光頭轉速：0~300 rpm，連續可控
拋光盤轉速：0~300 rpm，連續可控
修整器轉速：0~300 rpm，連續可控
拋光頭/修整器往復：行程90 mm，速度連續可控
拋光液：1路，蠕動泵供液，流速0~300 mL/min
去離子水：1路，蠕動泵供液，流速0~300 mL/min
升級配置：
電化學模塊：電位范圍±10 V，電流范圍±250 mA，支持三電較為、兩電較為體系，支持多種測量方法，如循環伏安法等。
紫外光模塊：波長λ=95 nm的紫外光源、發光面積1020*100（mm）、耗電功率200W、相對光效2000W、能量峰值614mW。
