簡介

陰較為熒光系統（Cathodoluminescence, CL）通常配置在掃描電鏡或透射電鏡中，能夠實現形貌觀察、結構和成分分析同陰較為熒光光譜的結合研究，實現全光譜熒光掃描成像。陰較為熒光激發所用的電子束束斑非常小，能量高；相比于光致發光（ Photoluminescence, PL）陰較為熒光具有高空間分辨、高激發能量、寬光譜范圍、大激發深度等特點，并能夠實現全光譜熒光掃描成像。陰較為熒光系統結合掃描電子顯微鏡能夠在小尺度對半導體材料與器件、熒光材料（地質、考古材料）等實現形貌觀察、結構和成分分析同陰較為熒光光譜的結合研究，在半導體、微電子、材料、物理、地質、考古等領域得到了廣泛的應用。特別在微米、納米尺度的半導體量子點、量子線等熒光物質的發光性質及電子結構的的研究領域，陰較為熒光技術具有重要的應用價值。

技術能力

俞大鵬院士領導的研究團隊利用這種超高空間分辨的陰較為熒光光譜技術系統開展了一系列國際領先的研究工作，主要包括1）研究了半導體納米/微米線材料的力電耦合性質，應變梯度對發光能量、精細電子結構和激子輸運動力學機理的影響規律等非常有趣的應變引起的物理效應，他們正在進一步研究應變可能引起的玻色-愛因斯坦凝聚的新奇物理現象；2）利用這種高空間分辨的陰較為熒光光譜技術系統開展了金屬納米腔中表面等離激元（SPPs）的色散關系、模式分布規律及其物理起源。

主要功能

實現形貌觀察、結構和成分分析同陰較為熒光光譜的結合研究

實現全光譜熒光掃描成像

實現全譜/單譜成像、光譜采集、陰較為熒光光譜面分布

氮化鎵基發光器件的陰較為熒光全譜成像（左圖）；氮化鎵基發光器件在不同激發能量下的陰較為熒光光譜特性（右圖）

彎曲ZnO 微米線（直徑1.8μm）CL 實驗測量結果。a.樣品的SEM 圖片；b 和c，無應變和彎曲部位的線掃CL測量結果；d.帶邊發光峰的移動量隨橫截面內應變的變化

地質材料